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        中文版 / ENGLISH
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        • PF-300T
        • PF-200T
        • 12英寸PECVD设备PF-300T

          产品介绍:

          PF-300T 是国家十一五重大专项所支持,由我公司自主研发的 12英寸 PECVD 设备,拥有 100%知识产权。其用于 40-28纳米集成电路的生产,具有 14-5纳米技术的延伸性。设备成本(CoO)及性能指标达到优异水平。设备已在多家国内及台湾企业的大规模集成电路及先进封装生产线(TSV)实施量产,充分展现国产半导体设备的实力与成果。

          产品特点:

          - 国际水平的性能指标
          - 量产验证的SiO2,SiN,SiON及TEOS SiO2标准工艺
          - 可依客户选择配置1-3路液态源,实现多种先进工艺
          - 具备TSV所需的低温(<200℃)TEOS SiO2工艺
          - 可与8英寸兼容互相切换
          - 具有优异的产能和CoO
          - 通过S2安全认证和F47标准检验
        • 8英寸PECVD设备PF-200T

          产品介绍:

          PF-200T 是由我公司基于 PF 系列平台,自主研发的 8 英寸 PECVD 设备,硬件结构以及系统稳定性和 PF-300T 保持一致,并已在国内各大企业经过严格的量产验证。PF-200T 和国际同类型二手设备相比,具有产能高,维护费用低的优势,还可为客户提供完善的售后及工艺开发等服务。并可升级到 12英寸,或实现 8/12 英寸相互切换。设备另具有低温 TEOS 的 SiO2 工艺,适用于三维集成电路生产(3D IC)中的 TSV 工艺。 工艺,适用于三维集成电路生产(3D IC)中的 TSV 工艺。

          产品特点:

          - 按行业新标准,全新设计制造
          - 采用行业现有标准零部件,降低维护成本
          - 具有优异的产能和CoO
          - 可搭载 1-3 个 PM
          - 成熟的 SiO2,SiN,SiON 及 TEOS SiO2 标准工艺
          - 可配置 1-3 路液态源,实现掺杂工艺
          - 具备 TSV 所需的低温(<200℃)TEOS SiO2 工艺
          - 通过 S2 安全认证和 F47 标准检验


        • 12英寸ALD设备FT-300T

          产品介绍:

          现可提供具有高质量的 SiOFT-300T 系列是我公司自主研发的原子层沉积(Atomic Layer Deposition)设备,反应腔搭载在已通过生产验证的高产能 PECVD 平台上,充分实现 ALD 设备对产能的需求。现已应用于超大规模集成电路,OLED 及先进封装(TSV)领域。ALD 技术一次沉积一层原子层薄膜,并针对 14nm 以下 FEOL 前道工艺进行合作开发。能有效覆盖及填充高深宽比的孔洞。现可提供具有高质量的 SiO2,SiN,Al2O3 薄膜,陆续拓展金属氧化物及金属氮化物等薄膜的应用。

          产品特点:

          - 优异的生产成本(CoO)及性能指标
          - 可搭载1-3个PM
          - 具有优异的均匀性和优异的保形性
          - 可配置Plasma Enhanced ALD及Thermal ALD
          - ALD薄膜在高宽比(20:1)情况下台阶覆盖率可达到95%
          - 通过S2安全认证和F47标准检验
          薄膜,陆续拓展金属氧化物及金属氮化物等薄膜的应用。

        • 12英寸3D-NAND PECVD设备NF-300H

          产品介绍:

          目前可实现超过 128 对的 SiONF-300H 设备由拓荆科技承担了国家十三五重大专项,自主研发,是国产首台应用于新一代三维闪存芯片(3D NAND)生产线上的等离子体化学气相薄膜沉积设备,拥有 自主知识产权。目前可实现超过 128 对的 SiO2、SiN(ONON)多层薄膜堆叠结构,在颗粒度、粗糙度、应力及产能四大关键方面实现突破,设备性能指标达到同类产品国际先进水平,具备产业化能力及市场竞争力。

          产品特点:

          - 优异的生产成本(CoO)及性能指标
          - 可搭载1-3个PM
          - 稳定的薄膜性能指标及工艺表现
          - 不同种类薄膜沉积的快速切换,高产能化
          - 能够满足300-600℃的高温沉积的要求
          - 多层喷淋头结构设计,快速气相切换
          - 通过S2安全认证和F47标准检验

        • 技术服务及零部件
          客户技术支持:

          - 在机台设备保质期内,本公司将对非人为造成的软、硬件上的问题为客户提供及时的维修,以保证客户工厂生产的正常进行。
          - 本公司在机台设备保质期内提供给客户充分的备用件,保质期后,客户可以购买方式取得备用部件的补充。
          - 依客户所提需求,本公司的工程师保证于24小时内到达客户现场给予支援。

        • 12英寸单腔PECVD设备

          产品介绍: 


          SC-300以12寸PECVD设备架构为基础,专为LED生产线、高校、研究所及企业研发机构所设计研发,可做2-12英寸的工艺,可选TEOS等液态源配置,适用于半导体、MEMS、光伏,封装等行业

        PF-300T

        产品介绍:

        产品介绍:

        PF-300T 是国家十一五重大专项所支持,由我公司自主研发的 12英寸 PECVD 设备,拥有 100%知识产权。其用于 40-28纳米集成电路的生产,具有 14-5纳米技术的延伸性。设备成本(CoO)及性能指标达到优异水平。设备已在多家国内及台湾企业的大规模集成电路及先进封装生产线(TSV)实施量产,充分展现国产半导体设备的实力与成果。

        产品特点:

        - 国际水平的性能指标
        - 量产验证的SiO2,SiN,SiON及TEOS SiO2标准工艺
        - 可依客户选择配置1-3路液态源,实现多种先进工艺
        - 具备TSV所需的低温(<200℃)TEOS SiO2工艺
        - 可与8英寸兼容互相切换
        - 具有优异的产能和CoO
        - 通过S2安全认证和F47标准检验

        PF-200T

        产品介绍:

        产品介绍:

        PF-200T 是由我公司基于 PF 系列平台,自主研发的 8 英寸 PECVD 设备,硬件结构以及系统稳定性和 PF-300T 保持一致,并已在国内各大企业经过严格的量产验证。PF-200T 和国际同类型二手设备相比,具有产能高,维护费用低的优势,还可为客户提供完善的售后及工艺开发等服务。并可升级到 12英寸,或实现 8/12 英寸相互切换。设备另具有低温 TEOS 的 SiO2 工艺,适用于三维集成电路生产(3D IC)中的 TSV 工艺。 工艺,适用于三维集成电路生产(3D IC)中的 TSV 工艺。

        产品特点:

        - 按行业新标准,全新设计制造
        - 采用行业现有标准零部件,降低维护成本
        - 具有优异的产能和CoO
        - 可搭载 1-3 个 PM
        - 成熟的 SiO2,SiN,SiON 及 TEOS SiO2 标准工艺
        - 可配置 1-3 路液态源,实现掺杂工艺
        - 具备 TSV 所需的低温(<200℃)TEOS SiO2 工艺
        - 通过 S2 安全认证和 F47 标准检验


        FT-300T

        产品介绍:

        产品介绍:

        现可提供具有高质量的 SiOFT-300T 系列是我公司自主研发的原子层沉积(Atomic Layer Deposition)设备,反应腔搭载在已通过生产验证的高产能 PECVD 平台上,充分实现 ALD 设备对产能的需求。现已应用于超大规模集成电路,OLED 及先进封装(TSV)领域。ALD 技术一次沉积一层原子层薄膜,并针对 14nm 以下 FEOL 前道工艺进行合作开发。能有效覆盖及填充高深宽比的孔洞。现可提供具有高质量的 SiO2,SiN,Al2O3 薄膜,陆续拓展金属氧化物及金属氮化物等薄膜的应用。

        产品特点:

        - 优异的生产成本(CoO)及性能指标
        - 可搭载1-3个PM
        - 具有优异的均匀性和优异的保形性
        - 可配置Plasma Enhanced ALD及Thermal ALD
        - ALD薄膜在高宽比(20:1)情况下台阶覆盖率可达到95%
        - 通过S2安全认证和F47标准检验
        薄膜,陆续拓展金属氧化物及金属氮化物等薄膜的应用。

        NF-300H

        产品介绍:

        产品介绍:

        目前可实现超过 128 对的 SiONF-300H 设备由拓荆科技承担了国家十三五重大专项,自主研发,是国产首台应用于新一代三维闪存芯片(3D NAND)生产线上的等离子体化学气相薄膜沉积设备,拥有 自主知识产权。目前可实现超过 128 对的 SiO2、SiN(ONON)多层薄膜堆叠结构,在颗粒度、粗糙度、应力及产能四大关键方面实现突破,设备性能指标达到同类产品国际先进水平,具备产业化能力及市场竞争力。

        产品特点:

        - 优异的生产成本(CoO)及性能指标
        - 可搭载1-3个PM
        - 稳定的薄膜性能指标及工艺表现
        - 不同种类薄膜沉积的快速切换,高产能化
        - 能够满足300-600℃的高温沉积的要求
        - 多层喷淋头结构设计,快速气相切换
        - 通过S2安全认证和F47标准检验

        技术服务及零部件

        产品介绍:
        客户技术支持:

        - 在机台设备保质期内,本公司将对非人为造成的软、硬件上的问题为客户提供及时的维修,以保证客户工厂生产的正常进行。
        - 本公司在机台设备保质期内提供给客户充分的备用件,保质期后,客户可以购买方式取得备用部件的补充。
        - 依客户所提需求,本公司的工程师保证于24小时内到达客户现场给予支援。

        SC-300

        产品介绍:

        产品介绍: 


        SC-300以12寸PECVD设备架构为基础,专为LED生产线、高校、研究所及企业研发机构所设计研发,可做2-12英寸的工艺,可选TEOS等液态源配置,适用于半导体、MEMS、光伏,封装等行业

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